IT之家 4 月 20 日消息，当地时间 4 月 18 日，据日经亚洲报道，内存芯片短缺预计将持续至 2027 年前后。美国和韩国主要厂商正在扩产 DRAM，但提产速度仅能覆盖约 60% 的市场需求。 中东局势动荡正在推高电力与原材料成本，进一步增加行业供给前景的不确定性。 三星电子计划在今年启用韩国平泽园区第四座晶圆厂，但全面量产预计要到 2027 年或更晚。同时，该工厂还将生产逻辑芯片，一定程度上限制了其内存产能的扩张空间。 正在建设中的第五座工厂将聚焦高带宽内存（HBM），即用于人工智能芯片的高性能 DRAM，但预计要到 2028 年或更晚才会投产。 三星内存业务负责人金在俊（IT之家注：音译，下同）表示，行业整体产能扩张受到限制，今年至 2027 年的供给增长将较为有限。 SK 海力士已于 2 月在清州投产一座 HBM 工厂，这是包括美光的三大厂商中唯一能够在今年带来新增供应的项目。同时，公司正在加快推进龙仁新厂建设，计划在 2027 年 2 月完工，比原计划提前三个月。 SK 集团会长崔泰源指出，受晶圆短缺及短期扩产难度限制，AI 内存紧张可能持续至 2030 年。 美光计划