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三星电子计划 2026Q2 出样 HBM4E 内存

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IT之家

IT之家 4 月 30 日消息,三星电子 (Samsung Electronics) 今日公布了正式的 2026Q1 财报并对各业务的发展进行了介绍,其中在存储器业务部分提到,计划 2026Q2 出样 HBM4E 内存。 三星电子设备解决方案 (DS) 部存储器业务代表在电话会议上表示,一季度 DRAM ASP(平均销售价格)增长超过 90%、NAND ASP 增幅也接近 90%。该企业预计今年 HBM 内存销售额将同比增长 3 倍,从 Q3 开始 HBM4 将占到 HBM 整体收入的一半以上。 在晶圆代工部分,该企业 Q1 成功赢得了大型光通信组件公司的订单,奠定了硅光子 (SiPh) 业务的基础;下半年将启动 2nm 第二代移动产品的产能爬坡,加速扩展 4nm 内存产品、4nm LPU 的产能。对于美国泰勒项目,1 号晶圆厂年内产能爬坡、2027 年量产,2 号晶圆厂计划正在审议。 此外,三星显示下半年将通过具备差异化技术的旗舰产品以及 8.6 代 IT OLED 的量产推动营收增长。